Усов С.О. Гетероструктуры для светодиодов видимого диапазона и транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе квантоворазмерных слоев InGaN, InAIN и короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / С. О. Усов, 2016. - 22 с. - Текст : непосредственный.