Карабешкин К.В. Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и альфа-C: Н облучением ионами RFn средних энергий : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.04, 01.04.10 / К. В. Карабешкин, 2013. - 18 с. - Текст : непосредственный.