Бадгутдинов М.Л. Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / М. Л. Бадгутдинов, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.