Полное описание

Пушкарев, С. С. Влияние дизайна метаморфного буфера на электрофизические и структурные свойства эпитаксиальных метаморфных немт наногетероструктур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/In0.7Al0.3As на подложках GaAs и InP : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / С. С. Пушкарев. - 2013. - 26 с. : ил. - Библиогр.: с. 23-26. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
29.35.47	621.382.3.029.6(043)

Кл.слова (ненормированные): НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- СТРУКТУРА -- ТРАНЗИСТОРЫ СВЧ -- ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар13-7639)

Шифр в сводном ЭК: e6143a862c6a470c82d2f02150d87ed7

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽