Полное описание

Особенности разогрева и релаксации горячих электронов в тонкопленочных сверхпроводниковых наноструктурах и 2D полупроводниковых гетероструктурах при поглощении излучения инфракрасного и терагерцового диапазонов / К. В. Смирнов [и др.] ; Моск. пед. гос. ун-т. - М. : МПГУ, 2014. - 239 с. - Авт. указ. на обороте тит. л. - Библиогр.: с. 213-239 (381 назв.). - 500 экз. - ISBN 978-5-4263-0145-0. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
29.19.29	538.945:539.216.2

Рубрики:
Сверхпроводящие пленки

Аннотация: Рассмотрены основные особенности эффекта электронного разогрева в тонких сверхпроводниковых пленках и полупроводниковых гетеропереходах, возникающего при поглощении носителями заряда излучений терагерцового и инфракрасного диапазонов. Значительная часть монографии посвящена представлению современных достижений при использовании указанного эффекта для создания приемных устройств с рекордными характеристиками: терагерцовых гетеродинных и болометрических приемников на основе сверхпроводниковых и полупроводниковых структур; сверхпроводниковых приемников одиночных ИК фотонов, в работе также подробно рассмотрены основы современной сверхпроводниковой тонкопленочной технологии.
Доп. точки доступа:
Смирнов, К.В.
Чулкова, Г.М.
Вахтомин, Ю.Б.
Корнеев, А.А.
Окунев, О.В.
Московский пед. гос. ун-т

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д10-14/17642)

Шифр в сводном ЭК: bb49e2769a4a0b074a3c5bd485e6f9c7

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽