• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Особенности разогрева и релаксации горячих электронов в тонкопленочных сверхпроводниковых наноструктурах и 2D полупроводниковых гетероструктурах при поглощении излучения инфракрасного и терагерцового диапазонов : монография / Смирнов К. В. - Москва : Московский педагогический государственный университет, 2014. - 240 с. - URL: https://www.iprbookshop.ru/70140.html (дата обращения: 11.04.2023) . - Режим доступа: ЭБС IPR SMART. - ISBN 978-5-4263-0145-0. - Текст : электронный.
    Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
    УДК
    537
    ББК
    22.3

    Кл.слова (ненормированные): ЗАРЯД -- ПОЛУПРОВОДНИК -- СВЕРХПРОВОДНИК -- ТЕХНОЛОГИЯ -- ФОТОН
    Аннотация: В монографии рассмотрены основные особенности эффекта электронного разогрева в тонких сверхпроводниковых пленках и полупроводниковых гетеропереходах, возникающего при поглощении носителями заряда излучений терагерцового и инфракрасного диапазонов. Значительная часть монографии посвящена представлению современных достижений при использовании указанного эффекта для создания приемных устройств с рекордными характеристиками: терагерцовых гетеродинных и болометрических приемников на основе сверхпроводниковых и полупроводниковых структур; сверхпроводниковых приемников одиночных ИК фотонов. В работе также подробно рассмотрены основы современной сверхпроводниковой тонкопленочной технологии. Монография может быть полезна студентам старших курсов, аспирантам и начинающим исследователям, работающим в области физики твердого тела, оптики, радиофизики.
    Доп. точки доступа:
    Смирнов, К. В.
    Чулкова, Г. М.
    Вахтомин, Ю. Б.
    Корнеев, А. А.
    Окунев, О. В.
    Дивочий, А. В.
    Семенов, А. В.
    Гольцман, Г. Н.

    Перейти к просмотру издания


    Держатели документа:
    Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : 143405, Московская область, г. Красногорск, ш. Ильинское, д. 1А, помещ. 17,6/ком. 5 (Шифр в БД-источнике (IPRBOOKS): 70140)

    Шифр в сводном ЭК: 4e447b22212ddbf9267cbda34c3f5d9a



    Просмотр издания ЭБС IPR SMART