Полное описание

Chen, Z. Analysis of a finite element method for the drift-diffusion semiconductor device equations:the multidimensional case / Z.Chen,B.Cockburn. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 1994. - 20 p. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 94/125). - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.19-20

ГРНТИ	УДК
47.01.77	621.382.001.57

Рубрики:
Полупроводниковые приборы -- Моделирование

Доп. точки доступа:
Cockburn, B.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/17401/94/125)

Шифр в сводном ЭК: 09357e3dfa57c3e527034d4b01f06568

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽