Полное описание

Аношкин, Ю. В. Технология получения резистивных структур на низкоразмерном уровне : автореф. дис. ... канд. техн. наук: 05.11.14 / Ю. В. Аношкин. - Пенза, 2009. - 24 с. : ил. - Библиогр.: с. 22-24 (17 назв.). - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.59.33	621.316.849-047.56(043)

Кл.слова (ненормированные): ВОСПРОИЗВОДИМОСТЬ -- ДЕГРАДАЦИЯ -- ПАРАМЕТРЫ -- ПРОИЗВОДСТВО -- РЕЗИСТИВНЫЕ ПЛЕНКИ -- РЕЗИСТОРЫ ПЛЕНОЧНЫЕ -- СТАБИЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ -- ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ РЕЖИМЫ -- ХРОМОНИКЕЛЕВЫЕ СПЛАВЫ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР09-10886)

Шифр в сводном ЭК: c469ed428073ffa9087c9690529723d1

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽