• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС / О. А. Агеев [и др.]; под общ. ред. Р. В. Конаковой ; Нац. акад. наук Украины, Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева. - Харьков : Ин-т монокристаллов, 2008. - 390 с. : ил. - (Состояние и перспективы развития функциональных материалов для науки и техники). - Библиогр. в конце гл. - 300 экз. - Текст : непосредственный.

    ГРНТИ УДК
    47.09.29621.315.592-047.84

    Рубрики:
    Полупроводники -- Производство

    Доп. точки доступа:
    Агеев, О.А.
    Беляев, А.Е.
    Болтовец, Н.С.
    Конакова, Р.В.
    Миленин, В.В.
    Национальная академия наук Украины (Киев). Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева

    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): G2/22418)

    Шифр в сводном ЭК: b8820838aaa16cc14a147dd1fab395ad



    Заказ фрагмента документа ₽