• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Dose characteristics of high-energy neutrons for radiation damage evaluation of silicon semiconductor devices / F.G.Alekseev,E.N.Savitskaya,S.A.Kharlampiev,I.A.Kurochkin. - Protvino : [s. n.], 1994. - 14 p. : il. - (Препринт / Институт физики высоких энергий(Серпухов) ; IHEP-94-65). - 240 экз. - Текст : непосредственный.

    ГРНТИ УДК
    47.33621.382:539.16(04)

    Рубрики:
    Полупроводниковые приборы -- Влияние ионизирующих излучений

    Кл.слова (ненормированные): ВЛИЯНИЕ -- ИОНИЗИРУЮЩЕЕ ИЗЛУЧЕНИЕ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР
    Доп. точки доступа:
    Alekseev, F.G.
    Savitskaya, E.N.
    Kharlampiev, S.A.
    Kurochkin, I.A.

    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Н/7868/IHEP-94-65)

    Шифр в сводном ЭК: a0a6abde7fbf5e61d1491c9020285a21



    Заказ фрагмента документа ₽