Полное описание

Ruhnau, U. Epitaktisches Wachstum von ss-SiC-Schichten auf Siliziumsubstraten durch chemische Gasphasenabscheidung : Diss. / U.Ruhnau. - Stuttgart, 1996. - 100 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.97-100

ГРНТИ	УДК
29.19.31	537.311.322:539.23(043)

Рубрики:
Полупроводниковые пленки -- Производство

Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛЕНКИ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): G2/19773)

Шифр в сводном ЭК: 82e8f339c4c34c3e77e5489474cee5ca

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽