Полное описание

Акчурин, Р. Х. МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники / Р.Х. Акчурин, А. А. Мармалюк. - Москва : ТЕХНОСФЕРА, 2018. - 487 с. : ил. - (Мир материалов и технологий). - Библиогр. в конце гл. - 200 экз. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.09.29	621.315.592.9-047.84
47.13	621.383-03-047.84
	621.38-03-047.84

Рубрики:
Полупроводники -- Производство
Фотоника
Электронные материалы -- Производство

Аннотация: Рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС- гидридной эпитаксии (МОСГЭ)- одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов.
Доп. точки доступа:
Мармалюк, А.А.

Оглавление

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ж2-18/65163)

Шифр в сводном ЭК: 7a770a5db93b04389cfbf9d32d296ba6

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽

Просмотр издания