Полное описание

Swith-level timing simulation of MOS VLSI circuits / V.B.Rao,D.V.Overhauser,T.N.Trick,T.N.Hall. - Boston, Ma : Kluwer, 1989. - X,209 p. мкф. : ill. - Текст : непосредственный.
Библиогр.в кн.

ГРНТИ	УДК
47.33.31	621.3.049.771.14.001.57(086.2)

Рубрики:
Интегральные схемы большие -- Моделирование

Доп. точки доступа:
Rao, V.B.
Overhauser, D.V.
Trick, T.N.
Hall, T.N.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): MR-101439)

Шифр в сводном ЭК: 6a2018896d0f2ec358ee564c89865e0d

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽