Полное описание

Нанотехнологии в электронике / под ред. Ю. А. Чаплыгина. - М. : Техносфера, 20 - . - (Мир электроники). - Текст : непосредственный.
Вып. 2. - 2013. - 686 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - 250 экз. - ISBN 978-5-94836-353-0

ГРНТИ	УДК
47.33.37	621.38-022.532

Рубрики:
Наноэлектроника

Аннотация: Резонансно-туннельные гетероструктуры: физика и приборные применения. Электрофизические характеристики неоднородных диэлектриков микро- и наноэлектроники. Моделирование элементов интегральной наноэлектроники. Размерный эффект плавления в пленочных структурах наноэлектроники. Исследование наноразмерных областей методами просвечивающей электронной микроскопии. Рентгеновские методы исследования наноструктур и нанообъектов электроники. Наноструктуры на основе метода локального зондового окисления. Плазменные методы создания наноструктур. Наноструктурированные оксиды металлов в технологии устройств функциональной электроники. Функциональные некристаллические покрытия для микро- и наноэлектроники. Лазерный метод создания биосовместимых композиционных наноматериалов с углеродными нанотрубками. Микро- и наноэлектромеханические системы и устройства. Элементы наноэлектроники на основе высокотемпературного сверхпроводника состава (Ві, Pb)₂Sr₂Ca₂Cu₃O₁₀. Магниторезистивные структуры в устройствах наноэлектроники и микросистемной техники. Кремниевые биполярные гетероструктуры и проектирование СВЧ интегральных схем на их основе.
Доп. точки доступа:
Чаплыгин, Ю.А.\ред.\

Имеются экземпляры в отделах: всего -20130919 : ПНТ (-20130919)
Свободны: ПНТ (1)
Заказаны экз-ры для отделов: ФО19

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/68252/2)

Шифр в сводном ЭК: 47b6088c924b263023692ddef82f6a74

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽