Полное описание

Модель учета рельефа границы раздела Si/SiO₂ наноразмерного МДП-транзистора в среде TCAD Sentaurus / Е. А. Артамонова, А. А. Голишников, Т. Ю. Крупкина [и др.]. - Текст : непосредственный // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2012 (МЭС - 2012) : сб. тр. V Всерос. науч.-техн. конф., 8-12 окт. 2012 г., Москва. - М., 2012. - С. 199-202. - Библиогр.: 5 назв.
ГРНТИ 47.14.07 + 50.51.17

Кл.слова (ненормированные): диоксид кремния
Аннотация: Рассмотрены эффекты, связанные с атомным рельефом на границе раздела кремний - подзатворный окисел. Проведен анализ составляющей подвижности, связанной с рассеянием на рельефе границы раздела Si/SiO₂ в наноразмерном МДП-транзисторе. Рассмотрены особенности моделирования таких транзисторов с учетом влияния шероховатости границы раздела Si/SiO₂ в среде TCAD Synopsys.
Доп. точки доступа:
Артамонова, Е.А.
Голишников, А.А.
Крупкина, Т.Ю.
Родионов, Д.В.
Чаплыгин, Ю.А.


Имеются экземпляры в отделах: всего -20130110 : ПНТ (-20130110)
Свободны: ПНТ (1)
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): -924208-442481)

Шифр в сводном ЭК: 17a38236173dd732ee1feadf70628d9f

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽