Полное описание

Акчурин, Р. Х. МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники : учебное пособие / Акчурин Р. Х. - Воронеж : Техносфера, 2018. - 488 с. - URL: https://www.iprbookshop.ru/93364.html (дата обращения: 11.04.2023) . - Режим доступа: ЭБС IPR SMART. - ISBN 978-5-94836-521-3. - Текст : электронный.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

	УДК
	621.382

	ББК
	31.2

Кл.слова (ненормированные): ГИДРИДНЫЕ ИСТОЧНИКИ -- МОС-ИСТОЧНИКИ -- ФОТОНИКА -- ЭЛЕКТРОНИКА -- ЭПИТАКСИЯ
Аннотация: В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
Доп. точки доступа:
Мармалюк, А. А.

Перейти к просмотру издания

Держатели документа:
Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : 143405, Московская область, г. Красногорск, ш. Ильинское, д. 1А, помещ. 17,6/ком. 5 (Шифр в БД-источнике (IPRBOOKS): 93364)

Шифр в сводном ЭК: 0338e8591dd83f48c6bda0189f20f125

Просмотр издания ЭБС IPR SMART