Полное описание

Nawaz, M. Analytical and numerical study of GaAs/AlGaAs based multiple quantum wells heigh electron mobility transistors (HEMTs) / M.Nawaz,G.U.Jensen. - Oslo : [s. n.], 1995. - 13 p. : ill. - (Rapport / Univ.i Oslo ; 95-01). - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.9

ГРНТИ	УДК
47.33	621.382.323

Рубрики:
Транзисторы полевые

Кл.слова (ненормированные): ТРАНЗИСТОР
Доп. точки доступа:
Jensen, G.U.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/15656/95-01)

Шифр в сводном ЭК: fba37c0912bfd26ff8f32e16a0c6a848

Заказать издание
Заказ фрагмента документа