Полное описание

Tunneling-assisted impact ionization fronts in semiconductors / P.B.Rodin,U. M.Ebert,W. H.Hundsdorfer,I. V.Grekhov. - Amsterdam : [s. n.], 2001. - 19 p. : ill. - (Report:Modelling, analysis and simulation / CWI ; MAS-R0121). - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.12-14

ГРНТИ	УДК
47.33	621.316.543

Рубрики:
Гетеропереходы
Токовые ключи

Доп. точки доступа:
Rodin, P.B.
Ebert, U. M.
Hundsdorfer, W. H.
Grekhov, I. V.
Centrum voor wiskunde en informatica (Amsterdam)

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/17927/MAS-R0121)

Шифр в сводном ЭК: d709bbc2cfde8e00612fb72d4a406f08

Заказать издание
Заказ фрагмента документа