Полное описание

Пчелинцев, К. П. Нейросетевая модель прогнозирования электрических характеристик полупроводниковых устройств с низкоразмерным каналом / К. П. Пчелинцев, Н. А. Ветрова, В. Д. Шашурин. - Текст : непосредственный // Российская академия естественных наук. Вестник Российской Академии Естественных Наук : общественно-научный журнал. - 2020. - Т. 20, № 4. - С. 43-47.
ГРНТИ 28.23

Рубрики:
Нейронные сети -- Применение -- Российская Федерация -- 2020

Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- наноэлектроника -- математическое моделирование
Аннотация: В работе представлены результаты проведения фундаментальных исследований по поиску принципиально новых подходов к моделированию токопереноса в полупроводниковых устройствах с низкоразмерным каналом с точностью и быстродействием, приемлемым для решения задачи обеспечения надежности наноэлектронных приборов и систем на их основе. В качестве предиктора использована обученная искусственная нейронная сеть. Обучающая выборка сформирована из данных, полученных квантомеханической моделью на основе метода неравновесных функций Грина.
Доп. точки доступа:
Ветрова, Н. А.
Шашурин, В. Д.


Нет сведений об экземплярах
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): -866888-655603)

Шифр в сводном ЭК: 8c419a620be343e59080cca858f7a4cc

Заказать издание
Заказ фрагмента документа