Полное описание
> Zhang, R. -Q. Growth Mechanisms and Novel Properties of Silicon Nanostructures from Quantum-Mechanical Calculations / R. -Q. Zhang. - Berlin [etc.] : Springer-Verl., 2014. - on-line. - (SpringerBriefs in molecular science). - URL: https://link.springer.com/book/10.1007/978-3-642-40905-9. - Загл. с экрана. - ISBN 978-3-642-40905-9. - Текст : электронный.
ГРНТИ | УДК | |
29.19.31 | 537.311.322-022.532 |
Кл.слова (ненормированные): КВАНТОВО-МЕХАНИЧЕСКИЕ ВЫЧИСЛЕНИЯ -- КРЕМНИЕВЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ -- МЕХАНИЗМ РОСТА -- ПОЛУПРОВОДНИКИ
https://link.springer.com/book/10.1007/978-3-642-40905-9
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): ???-682869)>
Шифр в сводном ЭК: 67fd74e101a225aca72262263523e80b
Заказ фрагмента документа ₽
Просмотр издания