Полное описание

Design considerations for MOS pixel for single-sided two-dimensional detector / S.Avrillon,H.Ikeda,T.Matsuda и др. - Tsukuba : [s. n.], 1994. - 21 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 94-36). - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.11

ГРНТИ	УДК
29.15.39	539.1.074.5

Рубрики:
Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые

Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДЕТЕКТОРЫ
Доп. точки доступа:
Avrillon, S.
Ikeda, H.
Matsuda, T.
Saitoh, Y.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/17226/94-36)

Шифр в сводном ЭК: 457a835f5df968b7778e7dc63e079343

Заказать издание
Заказ фрагмента документа