Полное описание

Superfast fronts of impact ionization in initially unbiased layered semiconductor structures / P.B.Rodin,U.M.Ebert,W.H.Hundsdorfer,I.V.Grekhov. - Amsterdam : [s. n.], 2001. - 18 p. : ill. - (Report:Modelling, analysis and simulation / CWI ; MAS-R0110). - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с.11-12

ГРНТИ	УДК
47.33	621.315.592.9

Рубрики:
Гетеропереходы

Кл.слова (ненормированные): ГЕТЕРОПЕРЕХОД
Доп. точки доступа:
Rodin, P.B.
Ebert, U.M.
Hundsdorfer, W.H.
Grekhov, I.V.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/17927/MAS-R0110)

Шифр в сводном ЭК: 39d222235dcc6d61caaf3eab1f702994

Заказать издание
Заказ фрагмента документа