Полное описание

Radiation damage of 1.0 um CMOS VLSI as a function of latchup immunity / Y.Saitoh,T.Akiba,H.Konishi и др. - Tsukuba : [s. n.], 1992. - 6 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 92-173). - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.6

ГРНТИ	УДК
47.33	621.382.323:539.16

Рубрики:
МОП-транзисторы -- Влияние ионизирующих излучений

Доп. точки доступа:
Saitoh, Y.
Akiba, T.
Konishi, H.
Watanabe, H.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/17226/92-173)

Шифр в сводном ЭК: 32da19121da8433d613d78078556b9c9

Заказать издание
Заказ фрагмента документа