Папроцкий С.К. Транспортные явления в объемном Ge и наноструктурах на основе Si, GaAs и InAs, перспективных для генерации ТГц излучения : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / С. К. Папроцкий, 2015. - 25 с. - Текст : непосредственный.
Приложение
для Android
