Лошкарев И.Д. Напряженное состояние и дислокационная структура пленок GaAs, GaP и GeSi на кремнии : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / И. Д. Лошкарев, 2013. - 18 с. - Текст : непосредственный.